Current crowding issues on nanoscale planar organic transistors for spintronic applications

Verduci, Tindara; Chaumy, Guillaume; Dayen, Jean-françois; Leclerc, Nicolas; Devaux, Eloïse; Stoeckel, Marc-Antoine; Orgiu, Emanuele; Samorì, Paolo; Doudin, Bernard

doi:10.1088/1361-6528/aacc22

Current crowding issues on nanoscale planar organic transistors for spintronic applications

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VERDUCI, Tindara, CHAUMY, Guillaume, DAYEN, Jean-françois, LECLERC, Nicolas, DEVAUX, Eloïse, STOECKEL, Marc-Antoine, ORGIU, Emanuele, SAMORÌ, Paolo et DOUDIN, Bernard, 2018. Current crowding issues on nanoscale planar organic transistors for spintronic applications. Nanotechnology [en ligne]. septembre 2018. Vol. 29, n° 36pp. 365201. [Consultésans date]. DOI 10.1088/1361-6528/aacc22. Consulté de : http://iopscience.iop.org/article/10.1088/1361-6528/aacc22/meta1. .

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Paternité - Pas d'utilisation commerciale [CC] [BY] [NC]
Auteurs	Tindara Verduci Guillaume Chaumy Jean-françois Dayen Nicolas Leclerc Eloïse Devaux Marc-Antoine Stoeckel Emanuele Orgiu Paolo Samorì Bernard Doudin
Unité de recherche du site	Institut de Physique et Chimie des Matériaux de Strasbourg - IPCMS - UMR7504 Institut de chimie et procédés pour l'énergie l'environnement et la santé - ICPEES - UMR7515 Institut de Science et d'Ingénierie Supramoléculaires - ISIS - UMR7006
Langue	en
Volume	29
Numéro	36
Page de début	365201
Date de première publication	2018-06-29
Date de parution	2018-09
ISSN	0957-4484 1361-6528
Titre de la source (revue, livre…)	Nanotechnology
Résumé	The predominance of interface resistance makes current crowding ubiquitous in short channel organic electronics devices but its impact on spin transport has never been considered. We investigate electrochemically doped nanoscale PBTTT short channel Show moreThe predominance of interface resistance makes current crowding ubiquitous in short channel organic electronics devices but its impact on spin transport has never been considered. We investigate electrochemically doped nanoscale PBTTT short channel devices and observe the smallest reported values of crowding lengths, found for sub-100 nm electrodes separation. These observed values are nevertheless exceeding the spin diffusion lengths reported in the literature. We discuss here how current crowding can be taken into account in the framework of the Fert–Jaffrès model of spin current propagation in heterostructures, and predict that the anticipated resulting values of magnetoresistance can be significantly reduced. Current crowding therefore impacts spin transport applications and interpretation of the results on spin valve devices. Show less
DOI	10.1088/1361-6528/aacc22
Éditeur	IOP Publishing
URL éditeur	http://iopscience.iop.org/article/10.1088/1361-6528/aacc22/meta
Titre abrégé de la source	Nanotechnology
Type de publication	ACL
Projet(s) de recherche ANR	Agence Nationale de la Recherche (MULTISELF 11-BS08-06, Labex NIE 11-LABX-0058_NIE within the Investissement d’Avenir program ANR-10-IDEX- 0002-02)
Domaine	Chimie/Matériaux
Mots-clés	current crowding nanodevices organic electronics spintronics spin valve
PMID	29894980
Équipes de recherche	E3 - DMONS : Département magnétisme des objets nanostructurés
Fonction	aut
Identifiant ORCID	0000-0001-6256-8281 0000-0002-0657-4780
Identifiant idREF	089078144 19105190X 149238614
Audience	International
URL	https://univoak.eu/islandora/object/islandora:71170