Modulating the Charge Transport in 2D Semiconductors via Energy‐Level Phototuning

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QIU, Haixin, ZHAO, Yuda, LIU, Zhaoyang, HERDER, Martin, HECHT, Stefan et SAMORÌ, Paolo, sans date. Modulating the Charge Transport in 2D Semiconductors via Energy‐Level Phototuning. Advanced Materials. sans date. Vol. 31, n° 39pp. 1903402. DOI 10.1002/adma.201903402. 1. .
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Auteurs Haixin Qiu
Yuda Zhao
Zhaoyang Liu
Martin Herder
Stefan Hecht
Paolo Samorì
Unité de recherche du site Institut de Science et d'Ingénierie Supramoléculaires - ISIS - UMR7006
Langue

en
Volume

31
Numéro

39
Page de début

1903402
Date de première publication

2019-08-12
ISSN

0935-9648
Titre de la source (revue, livre…)

Advanced Materials
Résumé

The controlled functionalization of semiconducting 2D materials (2DMs) with photoresponsive molecules enables the generation of novel hybrid structures as active components for the fabrication of high‐performance multifunctional field‐effect
Show moreThe controlled functionalization of semiconducting 2D materials (2DMs) with photoresponsive molecules enables the generation of novel hybrid structures as active components for the fabrication of high‐performance multifunctional field‐effect transistors (FETs) and memories. This study reports the realization of optically switchable FETs by decorating the surface of the semiconducting 2DMs such as WSe2 and black phosphorus with suitably designed diarylethene (DAE) molecules to modulate their electron and hole transport, respectively, without sacrificing their pristine electrical performance. The efficient and reversible photochemical isomerization of the DAEs between the open and the closed isomer, featuring different energy levels, makes it possible to generate photoswitchable charge trapping levels, resulting in the tuning of charge transport through the 2DMs by alternating illumination with UV and visible light. The device reveals excellent data‐retention capacity combined with multiple and well‐distinguished accessible current levels, paving the way for its use as an active element in multilevel memories.
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DOI 10.1002/adma.201903402
Titre abrégé de la source

Adv. Mater.
Type de publication

ACL
Domaine

Chimie/Matériaux
Unité de recherche extérieure au site

Department of Chemistry and IRIS AdlershofHumboldt‐Universität zu Berlin 12489 Berlin Germany
Fonction

aut
Identifiant idREF 109288335
Audience

International
Envoyer vers HAL

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URL https://univoak.eu/islandora/object/islandora:81420